SANSUI AU-α907i MOS Limited
サンスイ独自の伝送・増幅方式であるα-Xバランス・サーキットを採用しています。 MOS FETによるパワー段を含む信号回路、さらに電源回路までα-Xバランス・サーキットを一貫した構成とし、+側−側同等に両方向からドライブさせることで、不要高調波成分がキャンセルされ、低歪率でパワフルなスピーカー・ドライブを実現しています。 さらに、アースから独立しているため、電源系からのノイズは混入せず、スピーカーからの逆起電力によるIHM(Interface Hum Modulation)の発生もありません。
電源部を中央に置き、大型ヒートシンカーにマウントされたパワーアンプ部を左右対称に分離して配置したツインモノラル・コンストラクションを採用しており、信号経路、放熱、強度の全てにわたり考慮がされています。 また、各ステージを分離するセパレーターに銅メッキ処理を施し、デジタル性の電磁波ノイズ、磁気歪の影響を徹底的に追放しています。 各セパレーターは大型ビスによりボンネットと底板に固定され、シャーシ全体をソリッドに一体構造化しています。
さらに、無振動・無共振化を徹底するため、パワーMOS FET、電源トランス、電源ブロックコンデンサー、マスターボリュームなどの取り付け部に無酸素銅版を採用しています。 また、パワー部に防振対策を施したディスポーシャル基板を、さらに、ヒートシンカーや純銅ムクのインシュレーターを採用するなど振動を抑制しています。 これらはすべて、アンプにスイープ信号を加え定格出力としたときのマルチモード振動解析から、各部の振動を極小とする最低な材質と形状を吟味して採用しています。
機種の定格 型式 リファレンス・インテグレーテッド・アンプ 定格出力(10Hz～20kHz、両ch駆動) 6Ω:100W+100W 8Ω:80W+80W 全高調波歪率(実効出力時) 0.01%以下(8Ω) 混変調歪率(実効出力時) 0.01%以下(8Ω) ダンピングファクター 150(8Ω) 周波数特性(1W) DC～300kHz +0 -3dB 入力感度/インピーダンス(1kHz) Balance・Normal:1V/3kΩ SN比(Aネットワーク) 120dB以上 TIM歪(SAWTOOTH) 測定限界値以下 スルーレイト ±200V/μsec(8Ω) ライズ・タイム 0.5μsec 入力感度/インピーダンス(1kHz) Phono MM:2.5mV/47kΩ Phono MC:300μV/100Ω CD、Tuner、Line1、2、Tape1・2・3:150mV/20kΩ Phono最大許容入力(1kHz) MM:250mV MC:25mV RIAA特性 Phono(MM):20Hz～20kHz ±0.2dB SN比 Phono MM:90dB以上 Phono MC:75dB以上 CD、Tuner、Line、Tape:110dB以上 トーンコントロール Bass最大変化量:±5dB(50Hz) Treble最大変化量:±5dB(15kHz) ターンオーバー周波数:75Hz、150Hz サブソニックフィルター 16Hz(-3dB)、6dB/oct ラウドネス(Volume -30dB) 50Hz:+6dB 10kHz:+4dB オーディオミューティング -20dB(1kHz) 定格消費電力 260W 外形寸法 幅472x高さ161.5x奥行441mm 重量 31kg